內地開發首款2D GAAFET電晶體 或促新一輪晶片技術革新

2025年3月13日

綜合媒體報道，北京大學研究團隊近期發表全球首創2D閘極場效電晶體(GAAFET)及邏輯單元，其速度和能效同時超過矽基物理極限，是全球迄今速度最快、能耗最低的電晶體，可望推動內地晶片領域新一輪技術革新，相關論文已於國際學術期刊《自然》(Nature)發表。

該研究由北京大學化學與分子工程學院教授彭海琳的團隊與電子學院研究員邱晨光的團隊合作進行。團隊表示，已將這款電晶體與英特爾(Intel)、台積電、三星等產品進行測試比較，在相同的操作條件下可表現更優異的性能。

基於2D材料電晶體相當「換道超車」

彭海林指出，這是目前最快、最有效率的電晶體，如果基於現有材料的晶片創新可視為一條捷徑，其開發基於2D材料的電晶體就相當於「換道超車」。

GAAFET是繼MOSFET和FINFET後的下一代電晶體技術。GAAFET對於製造3納米以下的微晶片是不可或缺。北京大學此次的重大創新，來自於其GAAFET的2D結構，是透過非矽基材料實現。