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三星8層HBM3E晶片據報通過輝達測試

路透引述消息人士報道,南韓三星電子第五代高頻寬記憶體(HBM)晶片(即HBM3E)的一個版本,已經通過輝達(Nvidia)的測試,可用於後者的人工智能(AI)處理器。

據報,三星和輝達尚未簽署已獲批准的8層HBM3E晶片的供應協議,但將很快簽署,並預計供應將於今年第四季開始。然而,三星的12層HBM3E晶片尚未通過輝達的測試。

三星於7月曾預測,到第四季,HBM3E晶片將佔其HBM晶片銷量的60%。分析認為,如果其最新的HBM晶片能在第三季度前獲得輝達的最終批准,這一目標便可以實現。

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